Godofredo García Salgado

Doctor en Ciencias con especialidad en electrónica del estado sólido egresado del IPN-CINVESTAV titulado con el estudio de modelos termodinámicos para el crecimiento de GaN por MOCVD y MBE. Actualmente Profesor Investigador Titular adscrito desde hace 33 años al centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores del Instituto de ciencias de la BUAP. Perfil PRODEP, SNI II. Dentro de sus actividades de investigación ha desarrollado sistemas de crecimiento de materiales semiconductores nanoestructurados por HFCVD, sistemas de crecimiento de GaN por MOCVD, además de obtención y aplicaciones con silicio poroso. Siendo el responsable de estos laboratorios. Cuenta con más de 100 artículos arbitrados. Actualmente es miembro del Consejo del ICUAP y del consejo académico del Posgrado en Dispositivos semiconductores (PDS-BUAP). Es miembro de la planta académica del posgrado en dispositivos semiconductores y responsable del laboratorio de depósito de materiales por HFCVD y MOCVD y de silicio poroso.