Erick Gastellóu Hernández

El Dr. Erick Gastellóu Hernández es Licenciado en Electrónica (FCE-BUAP) con doctorado en Dispositivos Semiconductores, grado obtenido por Cum Laude y nombrado como mejor estudiante de doctorado del 2019 en el Instituto de Ciencias de la Benemérita Universidad Autónoma de Puebla. Es Profesor de Tiempo Completo de la División de Sistemas Automotrices de la Universidad Tecnológica de Puebla desde el 2 de enero de 2001. El Dr. Gastellóu Hernández es miembro del Sistema Nacional de Investigadoras e Investigadores Nivel I desde el 1 de enero de 2021 a la fecha, con cinco años de posdoctorado de la Secretaría de Ciencia, Humanidades, Tecnología e Innovación en México (Secihti), en el Departamento de Investigación en Física de la Universidad de Sonora (DIFUS-UNISON). Tiene una estancia de investigación en el Centro de Nanociencias y Nanotecnología de la Universidad Nacional Autónoma de México (CNyN-UNAM). También es miembro Investigador/Académico de la Red CONAHCyT de Energía Solar. En los últimos seis años ha publicado 29 artículos en revistas científicas internacionales con alto factor de impacto, arbitradas e indizadas. Es coordinador del cuerpo académico PRODEP Semiconductores Compuestos y Nanoestructurados “UTPUE-CA-19”. El 2 de septiembre de 2019 presentó ante el IMPI la solicitud de patente MX/a/2019/010447, la cual fue otorgada el 9 de septiembre de 2024 con el TÍTULO DE PATENTE No. 416990, cuyo nombre es PROCESO DE ELABORACIÓN DE BLANCOS DE GaN DOPADOS CON Zn Ó Mg, PARA EL DEPÓSITO DE PELÍCULAS DELGADAS POR RF-MAGNETRON SPUTTERING. Como investigador tiene experiencia en semiconductores compuestos III-Nitruro, compuestos III-V y II-VI para el desarrollo de materiales y dispositivos opto-electrónicos, y nano-estructurados sintetizados por MOCVD, CVD, LPE y Magnetron RF Sputtering, además de técnicas de caracterización como XRD, SEM-EDS, TEM, AFM, XPS, PL, CL, Microscopía Raman, Efecto Hall-CV-IV, Transmitancia, Absorbancia y Reflectancia. Ha titulado a 56 estudiantes de licenciatura en la Universidad Tecnológica de Puebla. Orcid:0000-0003-2297-8248

Los compuestos semiconductores III-Nitruro, base fundamental de la tecnología actual

Voces de Expertos

DOI: https://doi.org/10.60647/0RT1-B725 Resumen Este trabajo plantea la importancia de los compuestos semiconductores III-Nitruro, da a conocer parte de su historia, características, así como propiedades. Además, describe dos de los principales métodos de síntesis como lo es la deposición química en fase vapor y la deposición química en fase vapor utilizando metal-orgánicos. También se presenta una

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Erick Gastellóu Hernández

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